1、M0内核和大空間設計

·M0核，主頻最高26 MHZ

·512KB Flash/64KB SRAM (V85XXP)

·256KB Flash/32KB SRAM(V85XX)

2、低功耗

·正常模式: 1.6 mA @6.5MHz(V85XX)

·正常模式: 2.1 mA @6.5MHz(V85XXP)

·休眠模式(LCD關閉):2.9uA(V85XX)

·休眠模式(LCD關閉):5.4uA(V85XXP)

·2個UART32K和2個比較器可(kě)休眠狀态下工(gōng)作(zuò)

3、外設豐富

·雙幀緩存LCD控制器

·4路DMA控制器

·最多(duō)支持8路外部輸入ADC

·内置32KHz及6.5MHZRC時鍾

·最多(duō)6個UART控制器，具(jù)有(yǒu)奇偶校驗功能(néng)

4、安(ān)全性強

·内置硬件 AES256/192/128 加密模塊

5、叠代升級

·增加2路SP接口

·增加硬件能(néng)量桶

·抗EMC性能(néng)提升

·增加真随機數模塊

·ECC256加密速度提升

6、工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓和溫度

·工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓:2.2V~5.5V

·工(gōng)作(zuò)溫度:-40°C~+85°C